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2016年資料中心高速交換器需求起飛的趨勢，同時，我們亦看好矽光通訊模組與白牌伺服器將出現暢旺的需求。

雖2015年全球市場10Gb網路接取埠技術需求仍是主流，但預期20

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16年起100Gb技術在接取埠支出金額將可大幅成長，IHS預估2015至2019年全球100Gb接取埠產值CAGR將達27％。

此結果印證近期交換器ODM廠商放量時程，同時也符合臉書等網際網路服務提供者近期紛紛宣布建立100Gb傳輸的資料中心

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。

矽光技術可望成為100Gb╱s的必備解決方案。我們認為矽光技術可望成為從In-Rack到Across Data center不同距離連結之頻寬欲達到100Gb╱s的必備技術。據英特爾估計，矽光技術應用於連接數據中心的潛在市場規模將由2016年不到10億美元增至2020年超過40億美元。假設磊晶圓占數據中心矽光應用總營收的3～5％，則InP磊晶片的潛在市場規模可望

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由2016年的不到2,000萬美元擴張至2020年逾1億2,000萬美元。

為滿足大量數據傳輸，電子訊號傳輸速度演進約每3年倍增，國際電機電子工程師學會（IEEE）在1998年、2002年及2010年分別制定乙太網路標準規範1Gb、10Gb、40Gb╱100Gb架構後（2015年10Gb交換器滲透率已達約37％），我們認為相隔40Gb╱100Gb規範制定6年後，2016年100Gb的交換器技術已逐漸成熟，需求將開始起飛，同時新一代400Gb的標準規範將於2016年底發布。

我們認為相隔40Gb╱100Gb規範制定6年後，2016年100Gb的交換器技術逐漸成熟，需求開始起飛，預期2016年起100Gb技術在接取埠支出金額將大幅成長。同時矽光技術可望成為從In-Rack到Across Data center不同距離連結之頻寬欲達到100Gb╱s的必備技術。

工商時報【王姿琳整理】

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根據思科最新發布的思科全球雲端指數（Cisco Global Cloud Index 2013－2018）預測，整體流量年複合成長率（CAGR）漲幅為23％，流量從2013全年3.1ZB（zettabytes）成長至2018全年為8.6ZB，成長近3倍。

矽光使用晶圓級技術並透過互補金屬氧化半導體（CMOS）、微機電系統（MEMS）和3D堆疊等know-how整合光學元件與矽電路，包括雷射、接收器（receiver）、導波管（waveguide）、調變器（modulator）、多工器╱解多工器（Mux╱DeMux）、積體電路和被動元件。隨著數據中心轉為採用高性能運算（HPC）設計，伺服器與伺服器之間的傳輸越發依賴虛擬化技術，帶動傳輸頻率大幅上升。矽光技術可使伺服器的連接能不再受限並改善吞吐量，尤其在數據中心傳輸速率達100Gb╱s時。矽光不僅會用於數據中心間的傳輸，另也用於In-rack。
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